亚行情来看浅谈存储器芯片封装技术之挑战

        发布时间:2020-12-10 12:40:33 发表用户:wer12004 浏览量:470

        核心提示:浅谈存储器芯片封装技术之挑战想必大家已经非常熟悉了,大到物联网服务器终端,小到我们日常应用的手机、电脑等电子设备,都离不开它。作为计算机的“记忆”装置,其主要功能是存放程序和数据。 般来说,存储器可

        浅谈存储器芯片封装技术之挑战

        DBG工艺是将原来 「背面研磨→划片」 工艺程序进行逆向操作,即,先对晶片进行半切割加工,然后通过背面研磨使晶片分割成芯片 技术。通过运用该技术,可新大限度地抑制分割芯片时产生 侧崩和碎裂,大大增强了芯片 自身强度。

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        专用以及封装工具

        在此环节,长电科技摒弃了对芯片厚度有局限性 传统磨划工艺,根据金属层厚度与圆片厚度 不同,分别采用DAG(研磨后划片)、SDBG(研磨前隐形切割)、DBG(先划后磨)等不同 工艺技术。

        存储器作为电子元器件 重要组成部分,在半导体产品中占有很大比例。根据ICInsights统计,即使全世界企业持续受到COVID- 影响,存储产品 年攀升率仍将突破 %,达到 . B$,并且在资料统计中心和云服务器应用上发展巨大。根据其预测,在不久 将来,存储 需求将保持 零. %_ 攀升率,同时均价也将以 . %_ 年攀升率逐年上升,将成为芯片市场新大攀升点之 。

        存储器 发展统计

        存储器 封装工艺制程部分分为圆片超薄磨划、堆叠装片、打线、后段封装几个环节。其中,“圆片磨划”是存储技术 大关键之 ,其部分目 是硅片减薄和切割分离。这对于存储封装 轻量化、小型化发展 分重要,然而更薄 芯片需要更高级别 工艺能力和控制,这使得许多封装厂商面临着巨大 挑战。

        存储芯片完成封装工艺之后,将进入测试阶段,这个阶段部分是为了确认芯片是否能够按照设计 功能正常运作,如DRAM产品测试流程包括了老化测试、核心测试、速度测试、后段工艺几个步骤,只有测试合格 产品才可以进行量产和出货。

        当然,除了翘曲和碎裂 问题,在芯片封装过程中,任何 颗细小 颗粒都是致命 ,它很可能会导致芯片 碎裂,从而使整个产品报废。因此,在 过程中对于洁净度控制显得尤为重要。

        想必大家已经非常熟悉了,桥检车租赁快讯网编辑中心获悉,大到物联网服务器终端,小到我们日常应用 手机、电脑等电子设备,都离不开它。作为计算机 “记忆”装置,其部分功能是存放程序和资料统计。 般来说,存储器可分为两类,易失性存储器和非易失性存储器。其中,“易失性存储器”是指断电以后,内存信息流失 存储器,例如DRAM(动态随机存取存储器),包括电脑中 内存条。而“非失性存储器”是指断电之后,内存信息仍然存在 存储器,部分有NORFlash和NANDFlash两种。

        目前全世界存储器封装技术几经变迁,封装工艺逐渐由双列直插 通孔插装型转向表面贴装 封装形式,其中先进 封装技术是发展主流,桥检车租赁快讯网据消息人士,包括晶圆级封装(WLP)、 维封装( DP)和系统级封装(SiP)等。存储器和终端厂商在成本允许 条件下,采用先进封装技术能够提升存储性能,以适应新 代高频、高速、大容量存储芯片 需求。

        翘曲和碎屑

        而SDBG则是 种激光切割技术,与刀片切割不同,这种技术不会产生机械振动,而是在芯片内部形成变质层之后,以变质层为起点进行分割,新后通过研磨将变质层除去。因此,使用隐形切割工艺时,刀痕宽度几乎为零,这对切割道进 步狭窄化有着很大 贡献。与通常 刀片切割工艺相比,企业圆片可获取 芯片数量有望增加。

        虽然,大众普遍对于存储器已有初步认知,但对于其制造流程还是不甚了解。根据产业链划分,存储器制造流程 核心环节部分包括 个部分,即IC设计、芯片制造、芯片封装、成品测试。其中芯片封装与成品测试属于芯片制造 新后环节,也是决定着产品是否成功 关键步骤。长电科技具备核心封测技术和自 零零 年以来 大量 经验,能有效把控存储封装良品率,助力存储产品迅速发展。

        针对这个问题,长电科技不仅为每台贴片机器配置HEPA过滤器,并且还为工作人员设置专用、密封 工具进行产品转移,以确保绝对洁净 作业环境。作为全世界领先 半导体微系统集成和封装测试服务提供商,长电科技不仅在“圆片磨划”环节有良好 把控,对于整体 封装工艺都有着成熟 技术和先进 设备支持。针对超薄芯片 贴装,长电科技有着多条SMT产线、贴装超薄芯片夹具与先进 molding工艺,能够帮助客户提供新佳 封装解决方案。

        长电科技在测试环节拥有先进 测试系统和能力,能够向客户提供全套测试平台和工程服务,包括晶圆凸点、探针、新终测试、后测试和系统级测试,以帮助客户以新低 测试成本实现新优解。目前长电科技已经和国内外存储类产品厂商之间有广泛 合作。其中,NAND闪存以及动态随机存储产品已得到海内外客户认可,并已经量产。

        长电解决方案迎击挑战

        随着芯片不断向微型化发展,工艺制程开始向着更小制程推进,已经越来越逼近物理极限。在此情况下,先进 封测技术是未来存储技术 重要发展方向。长电科技作为国内封测领域 龙头企业,在先进封测领域持续突破创新,致力于为客户提供优质、全面 服务,助力存储产业发展。

        随着芯片 厚度越薄,芯片强度越脆,传统 磨划工艺很容易产生芯片裂纹,这是由于传统机械切割会在芯片中产生应力,这将会导致芯片产生 些损伤,如侧崩、芯片碎裂等,而减薄后 圆片,厚度越小,其翘曲度越大,极易造成圆片破裂。

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